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德國(guó)Sglux紫外光電二極管扁平 TO5 封裝 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝，氣密密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳，具有較大的開啟角度 在 280 nm（峰值靈敏度）下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.20 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管內(nèi)置擴(kuò)散器 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測(cè)器面積 內(nèi)置擴(kuò)散器 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處以 10 mW/cm² 的照射產(chǎn)生約 123 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管二引腳 TO5 封裝 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝，氣密密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳，具有較大的開啟角度 在 280 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.06 mm² 探測(cè)面積 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝，氣密密封，兩個(gè)絕緣引腳，一個(gè)額外的質(zhì)量 epin 在 280 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux光電二極管紫外線寬帶 SG01M-18S 系列 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.20 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
德國(guó)Sglux紫外光電二極管280 nm峰值靈敏度 紫外線寬帶 （UVA+UVB+UVC） 0.06 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝，密封，帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm（峰值靈敏度）處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射，產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片（通過 PTB 檢測(cè)）
Valon 6GHz 雙頻合成器模塊 Model 5009B 唐 I582I984229
